中國經濟增速放緩已經影響到整個半導體業，如果下一步隨著中國半導體業的實力地位提升，它采用價格下降的策略，那可能將會對于全球半導體業產生更大的影響。

                      中國經濟影響深 回顧2015年全球半導體行業大事 　
　　2015年匆匆過，在這一年中全球半導體業發生了許多故事，哪些值得我們去回顧：

　　預測大修正

　　年初時眾多市場分析公司預測今年半導體業增長在3%-7%，然而時至年底紛紛都調低至持平，或稍有下降。

　　業界有興趣探個究竟為什么?三句話：終端弱，美元強以及中國緩。

　　Fabless下降

　　市場研究機構ICInsights的最新預測，2015年全球芯片供貨商排行榜上，將出現25年以來第二次芯片制造商IDM表現勝過無晶圓廠fabless的情形。

　　根據ICInsight于12月的數據，今年全球Top10fabless的總營收預料將下滑5%至589.19億美元，大部分都是受到高通的fabless營收下降20%的影響，它由2014年的200億美元至今年的160億美元。需要說明高通的營收有兩部分組成，除了fabless之外，還有占其營收1/3強的授權費用所得。ICInsights指出，高通營收驟降，表面上看是因為三星決定改采用自家的Exynos系列處理器、不再向高通下訂單，實際上反映一個趨勢，那些系統制造商如蘋果，三星，華為等為了增強產品的差異化，紛紛都自行研發處理器芯片。

　　另外，fabless排名第三的聯發科今年營收也料將萎縮8%至65.04億美元。

　　并預測2015年全球fabless銷售額將下降5%，為799億美元，相比去年為841億美元。

　　兼并再次加劇

　　根據研究公司Dealogic統計，2015年到12月中旬為止半導體業并購交易規模已突破1，200億美元，創下歷年來的最高紀錄。交易金額已達到去年全年的4倍以上。

　　自1972以來全球前十大半導體公司的市場份額一直保持在一定水平內，但今年大公司之間的強強聯合以及近似瘋狂的并購，打破了這一規律。2015年，全球前十大半導體公司的市場份額比前42年的最高點上升了3%。有觀點稱，按照這樣的節奏下去，到2020年全球半導體公司就會“大一統”了，大家都為一家公司工作。這種說法顯然有些夸張，但不可否認的是，今年的半導體企業并購不同尋常，可能絕非是終點。

　　代工競爭更加激烈

　　總體上2015年對于代工業是一個挑戰之年，可能會有適中的增長。基于先進制程的代工的客戶群進一步兼并減少，以及由于成品率問題全球代工在16/14nmfinfet工藝上可能會停留更久。

　　從先進制程技術，大部分代工制造商都進入一個新階段，如格羅方德，三星及臺積電都己能由傳統的平面工藝，28nm，或20nm過渡到16nm/14nm的finFET工藝，而英特爾己經開始進入14nm的第二代finFET工藝量產。代工制造商期望在2016年底能開始10nm的試產。

　　盡管業界已經采用finFET工藝，但是先進工藝制程的平面CMOS市場仍相當有活力，實際上28nm仍是目前眾多應用市場的佳品。2015年就單個28nm節點可能產出10.0B美元的代工銷售額。

　　一個不爭的事實，無論是芯片制造商，或是它的代工伙伴，只要能進入蘋果的供應鏈就一定興旺，因為蘋果的訂單量大有保障。未來非常可能首先是在先進制程代工中開始兼并，同時另一方面代工制造商會開始兼并200mm的產能。

　　2015年全球純代工銷售額可能增長不到10%，而去年為421億美元。

　　先進制程步伐不停

　　盡管全球半導體業增長的步伐減緩，但是從先進制程方面沒有停步，反而加快。英特爾，三星及臺積電三足鼎立，并領先于全球的態勢越來越突出。

　　它們在突破16nm/14nm制程的同時，英特爾，三星與臺積電同樣分別開發10nmfinFET制程。并期望在2016年底能開始10nm的試產。

　　Gartner的Wang說，三星與臺積電都在積極地向10nm邁進，但是看起來在關于10nm的前景方面在臺積電和三星之間有不同的意見。臺積電的觀點認為10nm不會是個長壽命節點，因為10nm與16nm/14nm相比從速度上才高出25%，不占太大的優勢。所以臺積電認為未來7nm可能更持久。而三星有不同的看法，認為與14nm相比，10nm一定會更加成功。

　　英特爾，三星及臺積電三家在先進工藝制程方面，都在暗中使全力較勁。由于都是基于finFET工藝，買的幾乎是同樣的設備，分析它們幾乎處于同一水平上，至少不存在那家有明顯的優勢。

應用材料公司在今年的SemiconTaiwan強調，半導體產業的重大技術轉折點，必須依靠材料創新來實現。特別是在目前下一代EUV光刻技術尚未到位，預計要到7納米后才會上線之際，現階段必須透過材料創新與制程進展來實現目標。在晶片上做制程就像“造橋鋪路”一樣，在確保電路夠穩固可靠后，必須再加上材料工程進行調整，才能為客戶提供實現技術轉折點所需的差異化產品與服務。3DNAND預計將在2018年達到100萬片的月產能，提高85%，并隨著層數從36層增加到48層，帶來50-70%的市場規模成長。

　　從目前的進程半導體業在先進制程方面有可能邁入5納米。

　　另外三星與意法半導體合作開展研發的FD-SOI(全耗盡型SOI)工藝開始投片生產28納米芯片，法國半導體公司SoitecSA為其提供SOI基底材料。除意法半導體外，還有其他的客戶進入排片隊伍。

　　據報道稱，三星2015年己開始制定多個晶圓代工生產線運營FDSOI計劃，并將在2016年推出可用的物理設計工具包(PDK)以及用戶所需的IP生態系統。

　　存儲器表現平平

　　存儲器是產業的風向標。因此2015年全球存儲器業表現平平，據TrendForce的預測今年存儲器總營收可能僅增加1.8%。

　　據ICInsight預測數據，2015年全球存儲器業總營收834億美元，其中DRAM占63%，為525.4億美元，Flash占35%，為292億美元，其中NAND閃存占32%，為267億美元及NOR閃存占3%，為25億美元。

　　2015年受到需求面不振、持續供過于求的影響，DRAM價格呈現顯著衰退，尤其以標準型存儲器最為明顯。TrendForce旗下存儲器儲存事業處DRAMeXchange調查顯示，在寡占市場型態下，雖然小幅供過于求且價格持續下滑，各供應商生產仍保持紀律，未有明顯新增產能，因此延續2013年與2014年態勢，今年DRAM各廠仍維持全面獲利。

　　中國半導體業的地位節節上升

　　近年來由于中國半導體業的努力與進步，它的變化己引起全球業界的關注。如WSTS己經將中國半導體業的數據從原先并在亞太地區中開始單列。并認為導致今年全球半導體業態勢轉弱的三個因素中，有一個是由于中國的經濟放緩。

　　另外，全球頂級大廠如三星，英特爾及臺積電等都在中國己建，或者新建最先進制程的12英寸生產線，因此對于中國半導體業將面臨更激烈的競爭環境。

　　近期紫光進行瘋狂的連續投資入股臺灣地區的三家封測廠的行動，己引起島內的巨大反響。

　　如中國在傳感器，模擬及分立器件都是全球第一位，依出貨量計，它們分別消費了全球的50%，41%及40%。

　　而且與全球IC的平均銷售價格ASP相比，中國的ICASP低16%。

　　另外，近幾年全球ICT產業重心快速移向亞洲，中國成長尤其驚人。如2000年時，中國在電子零組件出口全球占比不過2.1%，到2013年已到19.8%，占比已超越臺灣。

　　十年來，電子零組件出口市場全球占比有了很大的改變，2000年日本第一，占比達14.2%，現在是中國最大。

　　中國半導體業正處于大的變革之中，去年大基金的推出是一個重要標志。表面上看大基金似乎解決了企業的融資難題，實際上更深層次的作用在于要解決一個中國半導體業迅速向市場化機制過渡的問題。通過獲得資金來提高企業的競爭實力，而只有在企業的競爭力提高，獲利能力提升時才有可能向市場化機制過渡，因此大基金可看作是產業發展中的橋梁作用，其最終目的是通過提升企業的競爭實力，而讓產業加速向市場化機制過渡。

　　中國經濟增速放緩已經影響到整個半導體業，如果下一步隨著中國半導體業的實力地位提升，它采用價格下降的策略，那可能將會對于全球半導體業產生更大的影響。