據悉，臺灣一專家研究小組研發了一種能改善氮砷化銦鎵（InGaAsN）及砷化鋁鎵（AlGaAs）激光二極管性能的銻鈍化技術。

　　通過改變含氮量，銦鎵砷氮量子井為協調放射波長提供了一簡單途徑。然而，其對被需要為光覆層創造高折射率的鋁元素非常敏感。銦鎵砷氮鋁圖層中包含的光學腐蝕及表面粗糙度因門限電流較低而阻礙了激光二極管性能的改善。

　　銦鎵砷氮（InGaAsN）主要用作量子井，周圍被砷化鎵覆蓋。銦鎵砷氮 (InGaAsN)屬四元半導體化合物，是新一代半導體長波長光電子材料，是制備光通訊、光互聯等多種用途新一代光電子器件的理想材料。將比現有的商用磷化銦基材料和器件的成本更低、性能更穩定，更有利于制備規模化半導體單片光子、光電子功能集成器件，市場應用前景廣闊。隨著互聯網等信息產業的飛速發展，高速、大容量光纖通訊網絡的市場需求逐年成倍增長，發展適于光通訊波段的砷化鎵基新一代半導體材料和光子集成器件已經成為國際學術界和產業界研發的熱點。鎵銦氮砷/鎵砷量子阱長波長探測器和激光器材料制備技術難度很大，是近年來歐、美、日等發達國家的研究重點，競爭非常激烈。