征載流子的數量增大的影響較之遷移率減小的半導體電阻率變化的影響更為嚴重，導致內量子效率下降，溫度升高又導致電阻率下降，使同樣IF下，VF降低。如果不用恒流源驅動LED，則VF降將促使IF指數式增加，這個過程將使LED PN 結上溫升更加快，最終溫升超過最大結溫，導致LED PN結失效，這是一個正反饋的惡性過程。 PN結上溫度升高，使半導體PN結中處于激發態的電子?空穴復合時從高能級向低能級躍遷時發射出光子的過程發生退化。這是由于PN結上溫度升高時，半導體晶格的振幅增大，使振動的能量也發生增加，當它超過一定值時，電子?空穴從激發態躍遷到基態時回與晶格原子(或離子)交換能量，于是成為無光子輻射的躍遷，LED的光學性能退化。