三十年的傳承與積淀，兩年一次的相聚與暢談，是重逢，更是見證！8月22日，第十五屆全國MOCVD學術會議在紅色革命根據地井岡山衡山大酒店盛大開幕。

　中國科學院院士、西安電子科技大學郝躍教授，中國科學院院士、中科院微電子所劉明研究員，MOCVD技術的開拓者之一、美國科學院院士佐治亞理工學院Russell Dupuis教授，科技部高新司原司長、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟顧問委員會常務副主任趙玉海先生，科技部高新司副司長曹國英先生，科技部高技術中心副主任卞曙光先生，科技部高技術中心材料處處長史冬梅女士，科技部高新司材料處調研員李志農先生，國家自然科學基金委信息四處處長潘慶先生，江西省科技廳副廳長趙金城先生，中國有色金屬學會副理事長兼秘書長張洪國先生，中國有色金屬學會常務副秘書長金銳先生，國家半導體照明工程研發及產業聯盟秘書長、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲女士，廈門大學校長張榮教授，南昌大學校長周創兵教授，半導體照明聯合創新國家重點實驗室主任、中科院半導體所李晉閩研究員，發光學及應用國家重點實驗室主任，中科院長春光機物理所申德振研究員，北京大學沈波教授，山東大學徐現剛教授，中科院蘇州納米所徐科研究員，此外還有葛惟昆教授、范廣涵教授、杜國同教授、張國義教授、王向武教授等等一批業界資深教授和一大批優秀中青年學者出席本次會議。來自MOCVD技術領域國內外頂級專家、機構嘉賓、學者、企業家代表500余人參與本次學術盛會。大會開幕式由南昌大學副校長江風益教授主持。

南昌大學副校長江風益教授主持開幕式

　　“一代材料，一代器件，一代工藝，一代裝備”。古往今來,國與國之爭,實質是裝備制造業之爭。裝備強則國強。當前階段,高端裝備與核心裝置是“大國重器”,是我國成為制造強國的基礎。中美貿易戰開始以來，高端裝備之爭更是上升為大國之間博弈的核心和不可或缺的利器。

　　尤其在《中國智能制造“十三五”規劃》中提出十大重點任務，其中一個就是加快智能制造裝備發展，攻克關鍵技術裝備，提高質量和可靠性，推進在重點領域的集成應用。政府還要推動重點領域智能轉型，在《中國制造2025》十大重點領域試點建設數字化車間/智能工廠，在傳統制造業推廣應用數字化技術、系統集成技術、智能制造裝備。到2020年，我國將建立完善的智能制造裝備產業體系，實現裝備的智能化及制造過程的自動化。

　　本屆會議由國家科學技術部指導，江西省科學技術廳支持，中國有色金屬學會主辦，南昌大學、國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)、國家硅基LED工程技術研究中心、半導體照明聯合創新國家重點實驗室共同承辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司協辦，中微半導體、北方華創微電子、AIXTRON SE、隆興達科技、昂坤視覺、華邦化學、中鎵半導體、中晟光電、馬爾文帕納科、德儀、先普半導體、上海匯析、蘇州納維科技、阿美特克、維易科、中拓光電、頤光科技、桂林雷光等企業積極參與。會議圍繞“MOCVD與智能光電”這一主題能夠開展廣泛交流，了解發展動態，促進相互合作。

開幕式現場

　江風益教授在介紹與會嘉賓代表時特別介紹，其中有一位業界資深教授自第一屆全國MOCVD學術會議一直參加至今，他就是國內最先從事氮化鎵藍色LED發光材料研究（1972年起）和MOCVD技術研究（1982年起）的著名光電子專家，是中國LED研究應用的開拓者——范廣涵教授。三十年的每次重逢，也是見證者。正是有這樣諸多業界資深教授的參與和推動，見證了我國MOCVD技術與裝備的發展。

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南昌大學劉軍林教授

　　南昌大學劉軍林教授代表組委會介紹了本屆會議籌辦情況，他介紹說，本屆會議為期三天，包含開閉幕式兩場大會，激光器材料與器件、LED及探測器材料與器件、電力電子器件及其他器件及應用四個主題分會。其中邀請報告42個，口頭報告73個。根據注冊統計數據顯示參會代表超過500人，來自國內外60余個單位機構。本屆會議參收到論文投稿200余篇，經過專家評審有100篇優秀論文遴選為會議現場POSTER展示。

　　中國有色金屬學會副理事長兼秘書長張洪國,南昌大學校長周創兵教授，國家半導體照明工程研發及產業聯盟秘書長、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲女士，江西省科技廳副廳長趙金城先生，國家自然科學基金委信息四處處長潘慶先生和科技部高新司副司長曹國英先后為大會致開幕詞。

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中國有色金屬學會副理事長兼秘書長張洪國

　　張洪國秘書長表示，MOCVD技術廣泛應用于制備氮化物、砷化物、磷化物、碲化物、氧化物等重要半導體材料及其量子結構，極大地推動了光電器件和電子器件的發展及產業化，也成為半導體超晶格、量子阱、量子線、量子點結構材料與器件研究的關鍵技術?！叭珖鳰OCVD學術會議”作為MOCVD技術和化合物半導體材料器件研發交流的平臺，自1989年第一屆會議舉辦以來，已經成功舉辦了十四屆，會議規模和影響力越來越大，成為全國學術界和產業界廣泛參與的學術盛會。希望與會專家及青年學者、企業家們能通過會議了解發展動態，促進相互合作。這次會議必將對我國MOCVD學術研究、技術進步及第三代半導體產業發展起到有力的推動作用。

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南昌大學校長周創兵教授

　　周創兵教授致辭時表示，南昌大學MOCVD技術發展已有23年的歷史。由于得到科技部、工信部、教育部、國家基金委等中央政府部門和江西省、南昌市、南昌高新區的大力支持，我校MOCVD事業得到了快速發展。從MOCVD設備的設計與制造、材料生長、芯片制作、器件封裝、到產品應用和性能表征這6大塊，我校均擁有一流的硬件條件和良好的技術積累。我校把MOCVD設備與工藝進行深度融合，把硅和氮化鎵這兩種材料有機結合，突破了氮化鎵基LED材料和芯片制造技術，推出了高效節能、光束質量高的LED新光源，實現了產業化；繼藍光技術突破后，研制成功高銦組分、生產型MOCVD設備，由此創造了黃光LED光效新記錄。今天，我校也帶來了基于黃光LED的新產品，請技術人員展示一下。該路燈，沒用熒光粉，其色調接近傳統高壓鈉燈，其示范應用效果，得到了市政和市民好評。這一具有里程碑意義的新突破，將為LED和半導體照明技術和產業帶來新的活力、拓展新的應用，將為我國經濟的高質量發展作出新貢獻。

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國家半導體照明工程研發及產業聯盟秘書長、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲

　　國家半導體照明工程研發及產業聯盟秘書長、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲表示，中國半導體照明產業從無到有，從小到大，LED芯片的國產化率達到80%以上。希望未來有一天能真正實現產業強國。目前第三代半導體產業發展就像十年前半導體照明產業一樣，可以看出未來潛在巨大需求。為此在科技部、國家基金委和國家十三五重點專項都給予了支持和部署。面對中美貿易磨擦，在座的年輕人共同承擔起的責任，不僅要補齊短板，還要發展自己長項。三十年彈指一揮間，半導體照明人整整做了十五年，但好像就在昨天。第三代半導體再過十五年，一定為人類綠色低碳可持續發展做出我們的貢獻。

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江西省科技廳副廳長趙金城

　　江西省科技廳副廳長趙金城表示，在科技部等部委的大力支持下，我省MOCVD技術取得了長足進步，涵蓋了從MO源、MOCVD設備、到MOCVD材料生長、芯片制造、器件封裝和產品應用等全產業鏈的研發和生產工作，覆蓋了紅橙黃綠青藍紫七彩色發光器件。其中，南昌大學實現了MOCVD裝備與工藝深度融合，成功地在硅襯底上生長了高光效藍光、綠光和黃光LED，實現了產業化，為LED和半導體照明產業的高質量發展帶來了新的活力和拓展了新的應用。南昌大學半導體照明技術創新團隊，經過20多年的艱苦奮斗，取得了今天的創新成果。希望未來在科技創新領域踐行了“堅定執著追理想，實事求是闖新路，艱苦奮斗攻難關，依靠群眾求勝利”的井岡山精神。在科技創新的過程中，不忘初心、堅定執著、實事求是、敢闖新路、艱苦奮斗、攻堅克難、依靠團隊、求得勝利！

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國家自然科學基金委信息四處處長潘慶

　　國家自然科學基金委信息四處處長潘慶表示，國家基金委一直鼓勵和支持重大科技項目的研發。本屆MOCVD學術會議所設四個主題分會也正是基金委項目所覆蓋的領域，希望與會的專家青年學者能積極申請科研項目，通過申請科研項目為我國半導體領域的科技進步與創新研發共促產業的快速發展。

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科技部高新司副司長曹國英

　　科技部高新司副司長曹國英在致辭中指出，科技強國意味著很多關鍵裝備、關鍵材料和關鍵技術都要強。同時更重要在體制和機制創新下，讓更多年輕人脫穎而出?！皹溆o而風不止”我們一直在謀劃科技強國，而西方發達國家一直在制約著我們科技的發展。經過梳理會發現，其中半導體領域尤為突出，MOCVD技術就是其中一個關鍵技術。雄關漫道真如鐵，而今邁步從頭越。我們未來不僅要補齊短板，更要發展自己長板，未來的科技進步和突破更是要依仗大家。

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　　隨后在主題報告環節，廈門大學校長張榮教授和中科院長春光機物理所申德振研究員共同主持。來自中國科學院院士、西安電子科技大學郝躍教授帶來了“氮化物與超寬禁帶半導體電子發展與展望”。MOCVD技術的開拓者之一、美國科學院院士佐治亞理工學院Russell Dupuis教授介紹了“照亮世界：金屬有機化學氣相沉積III-V族化合物半導體器件”主題報告；中國科學院院士、中科院微電子所劉明研究員介紹了“超寬禁帶氧化鎵半導體器件”報告；廈門大學校長張榮教授帶來了“Ⅲ族氮化物半導體的制備與納米結構發光器件研究 ”主題報告；半導體照明聯合創新國家重點實驗室主任、中科院半導體所李晉閩研究員分享了“紫外LED的產業機遇與技術挑戰”主題報告。

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中國科學院院士、西安電子科技大學郝躍教授

　　其中，郝躍院士報告前首先以毛澤東同志詩詞《西江月·井岡山》中“山下旌旗在望，山頭鼓角相聞。敵軍圍困萬千重，我自巋然不動。早已森嚴壁壘，更加眾志成城?！遍_篇暗示我國半導體科技界正經歷西方發達國家發起的貿易戰，我們更要任憑敵軍團團圍困，我依然巋然不可撼動。整飭的防御工事已嚴陣以待，所以更加團結一心如筑成的堡壘。同時也用詩詞《水調歌頭,重上井岡山》中“世上無難事，只要肯登攀?！泵銊钤谧銮嗄昕蒲腥藛T投身國家科技強國建設。

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　　中國科學院院士、中科院微電子所劉明研究員介紹了“超寬禁帶氧化鎵半導體器件”報告

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　　MOCVD技術的開拓者之一、美國科學院院士佐治亞理工學院Russell Dupuis教授介紹了“照亮世界：金屬有機化學氣相沉積III-V族化合物半導體器件”主題報告

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　　廈門大學校長張榮教授帶來了“Ⅲ族氮化物半導體的制備與納米結構發光器件研究 ”主題報告

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　　半導體照明聯合創新國家重點實驗室主任、中科院半導體所李晉閩研究員分享了“紫外LED的產業機遇與技術挑戰”主題報告。

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　　此外，大會同期“激光器材料與器件”、“LED及探測器材料與器件”、“電力電子器件”及“其他器件及應用”四個主題分會同樣是特邀報告和口頭報告前沿研究交相輝映，讓與會的嘉賓和青年科研代表享受到MOCVD技術“科研盛宴”。