賓夕法尼亞、MALVERN—2020年2月11日 —日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE股市代號：VSH）推出新型-30 V p溝道TrenchFET?第四代功率MOSFET---SiSS05DN，器件采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝，10 V條件下導通電阻達到業(yè)內最低的3.5 m。于此同時，導通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET在開關應用的重要優(yōu)值系數（FOM）為172 m*nC，達到同類產品最佳水平。節(jié)省空間的Vishay Siliconix SiSS05DN專門用來提高功率密度，占位面積比采用6mm x 5mm封裝的相似導通電阻器件減小65 %。

日前發(fā)布的MOSFET導通電阻比上一代解決方案低26 %，比市場上排名第二的產品低35 %，而FOM比緊隨其后的競爭器件低15 %。這些業(yè)內最佳值降低了導通和開關損耗，從而節(jié)省能源并延長便攜式電子設備的電池使用壽命，同時最大限度降低整個電源路徑的壓降，以防誤觸發(fā)。器件緊湊的外形便于安裝在PCB面積有限的設計中。

行業(yè)標準面積尺寸的SiSS05DN可直接替代升級5 V至20 V輸入電源應用中的現有器件。該MOSFET適用于適配器和負載開關、反向極性保護、電池供電設備電機驅動控制、電池充電器、消費類電子、計算機、電信設備等。

器件經過100 % RG和UIS測試，符合RoHS標準，無鹵素。

SiSS05DN現可提供樣品并已實現量產，供貨周期為12周，視市場情況而定。

VISHAY簡介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1000 強企業(yè)”，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、通信、國防、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業(yè)界領先者。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網站www.vishay.com。

PowerPAK和TrenchFET是Siliconix公司注冊商標。