3月21日，Qorvo在京舉辦線下媒體沙龍活動，在活動中，Qorvo高級現場支持工程師周虎表示，碳化硅在新能源汽車市場優勢明顯，但一些技術在實現的過程中依舊存在一些痛點亟待解決。

周虎表示，目前在新能源汽車的使用場景中，在電動機驅動部分傳統的設計主要使用IGBT器件，由于IGBT是MOSFET和BJT組成的復合型半導體器件，因此具有耐高壓以及抗電流沖擊能力較強的特性。但由于IGBT導通后的損耗模型為P=U×I，這也導致其在小功率、小電流的應用場景中的導通損耗比較大。而且由于IGBT本身的寄生參數較大，因此開關損耗也較大。除此之外，IGBT關斷時還有拖尾電流，因此在半橋或全橋應用中需要加大死區，造成IGBT的開關頻率相對較低，從而系統體積難以小型化，以上為IGBT主要的應用缺點。但是IGBT在高電壓、大電流的應用場景中優勢明顯,因此在汽車領域，IGBT適合用于重機型的場景中，例如：重型卡車、高速列車等。

而碳化硅器件導通后的特性類似于電阻，且導通阻抗相比硅基Mosfet更低，其損耗模型為P=I2×R，在較小功率或較小電流應用中，其損耗小于IGBT，因此碳化硅的這個優點更符合小型轎車的應用場景。而且碳化硅的熱傳遞性非常好，且絕緣能力強，這些特性非常適合high power的應用。除此之外，碳化硅器件的開關頻率可以做的更高，有利于減小磁性器件的匝數并減小體積，并有利于減小濾波電容和母線電容的用量。可以幫助客戶減小系統尺寸并減少成本，提高功率密度。

然而，產能不足是導致碳化硅成本無法下降的主要痛點，也是碳化硅無法在常規車型中得到普及應用的一大痛點。周虎表示，如今，不少碳化硅企業開始嘗試通過增加晶圓面積來解決此類痛點，將傳統的4英寸或6英寸晶圓提升至8英寸甚至未來12英寸的晶圓。這是由于，不同晶圓面積的切割成本相似，但是能在大尺寸的晶圓上能夠切割出更多的die片，從而可以有效降低die片單位成本。但是，在提升晶圓面積的同時，如何保證良率是目前需要解決的挑戰，目前良率相對穩定的依舊是6英寸及以下的晶圓。

此外，周虎表示，目前業界為了兼容全級別車型快充功能開始推動800V電氣架構，功率相同的情況下，通過抬高電池電壓，從而減少流過的電流，減少發熱損耗來提高汽車的續航里程。因此800V高壓也成為了碳化硅在新能源汽車領域中的主要“秀場”。但相比過去的400V電壓平臺，800V高壓在實施的過程中，需要注意以下潛在風險：首先，汽車的“三電”系統，空調壓縮機，DCDC直流變換器，OBC車載充電機等必須要滿足在這個電壓平臺上的安全工作，1200V耐壓等級的SiC或IGBT將會是唯二的選擇，而前者優勢較明顯。其次，汽車設計必須重視這個電壓平臺下對平臺的絕緣，器件的耐壓及漏電等相關安全考慮。最后，由于高電壓是通過很多電池串聯來實現，因此在高壓及大電流工作環境下如何保證電池的安全，如何合理計算電池整體的續航里程并保證電池的使用壽命也提出了很多的問題。